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型号: PTF10100
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内容描述: 165瓦, 860-900 MHz的LDMOS场效应晶体管 [165 Watts, 860-900 MHz LDMOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 167 K
品牌: ERICSSON [ ERICSSON ]
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e
PTF 10100
165瓦, 860-900兆赫
LDMOS场效应晶体管
描述
该10100是内部匹配共源N沟道
增强模式横向的MOSFET用于大信号放大器
应用程序从860到900兆赫。它的额定165瓦的功率输出。
氮化物表面钝化和镀金确保优异
器件的寿命和可靠性。
内部匹配
在894 MHz时, 28伏的表现
- 输出功率为165瓦
- 功率增益= 13.0分贝典型值
- 漏极效率为50%典型值
全镀金
氮化硅钝化
背面共源
100%的批次追踪
典型输出功率&效率与输入功率
180
60
效率
输出功率(瓦)
效率(%)
140
45
100
30
A-12
3456
9917
1010
0
V
DD
= 28.0 V
60
输出功率
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
I
DQ
= 1.8 A总
F = 880 MHz的
15
输入功率(瓦)
包20250
最大额定值
参数
漏源电压
(1)
栅源电压
(1)
工作结温
在Tflange器件总功耗= 25°C
高于25 °C减免了
存储温度范围
热电阻( Tflange = 70 ° C)
(1)
每面
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
T
英镑
R
QJC
价值
65
±20
200
500
2.85
-40到+150
0.35
单位
VDC
VDC
°C
W / ℃,
°C
° C / W
1