PTF 10112
60瓦, 1.8-2.0 GHz的
GOLDMOS
™
场效应晶体管
描述
该PTF 10112是内部匹配共源N沟道
增强模式横向的MOSFET用于CDMA和TDMA
应用程序从1.8到2.0 GHz的。它的额定值,在60瓦的功率输出。
氮化物表面钝化和全镀金确保优异
器件的寿命和可靠性。
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内部匹配
保证性能在1.93 , 1.99 GHz的,
28 V
- 输出功率为60瓦敏
- 功率增益= 12 dB典型值
全镀金
氮化硅钝化
背面共源
优良的热稳定性
100%的批次追踪
典型的输出功率与输入功率
80
输出功率(瓦)
60
A-12
40
1011
3456
2
98
37
V
CC
= 28 V
20
I
DQ
= 580毫安
F = 2000 MHz的
0
1
2
3
4
5
6
0
输入功率(瓦)
包20248
RF连接特定的阳离子
( 100%测试)
特征
收益
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 15 W,I
DQ
= 580毫安, F = 1.93 , 1.99千兆赫)
输出功率在1 dB压缩
(V
DD
= 28 V,I
DQ
= 580毫安, F = 1.99千兆赫)
漏EF网络效率
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 60 W,I
DQ
= 580毫安, F = 1.99千兆赫)
负载不匹配公差
(V
DD
= 28 V ,P
OUT
= 60 W,I
DQ
= 580毫安, F = 1.99 GHz的
- 所有相位角在测试的频率)
在T公布的所有数据
例
= 25°C ,除非另有说明。
符号
G
ps
P-1dB
h
D
Y
民
11
60
—
—
典型值
12
—
41
—
最大
—
—
—
10:1
单位
dB
瓦
%
—
e
1