TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM100GD120DLC
Transienter Wärmewiderstand
瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (t)的
1
0,1
Z
thJC
〔 K / W〕
0,01
第Z :二极管
第Z : IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
吨[秒]
i
r
i
[K /千瓦]
: IGBT
τ
i
[秒]
: IGBT
r
i
[K /千瓦]
:二极管
τ
i
[秒]
:二极管
1
21,25
0,002
47,11
0,002
2
64,32
0,03
124,78
0,03
3
83,81
0,066
136,14
0,072
4
20,62
1,655
51,97
0,682
西歇雷尔Arbeitsbereich ( RBSOA )
反向偏压安全操作区( RBSOA )
240
V
GE
= 15V ,R
g
= 5,6欧姆,T
vj
= 125°C
200
160
I
C
[A]
IC, MODUL
120
IC,芯片
80
40
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
7(8)
Seriendatenblatt_BSM100GD120DLC.xls