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    BSM300GA120DN2S 参数 Datasheet PDF下载

    BSM300GA120DN2S图片预览
    型号： BSM300GA120DN2S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT功率模块 [IGBT Power Module]
    分类和应用： 晶体晶体管开关双极性晶体管通用开关栅局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 240 K
    品牌： EUPEC [ EUPEC GMBH ]
     浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BSM300GA120DN2S的Datasheet PDF文件第10页  
    BSM 300 GA 120 DN2
    典型值。栅极电荷
    V
    GE
    =
    ƒ(Q
    门
    )
    参数：
    I
    ç PULS
    = 300 A
    20
    V
    典型值。电容
    C
    =
    f
    (V
    CE
    )
    参数：
    V
    GE
    = 0 V ， F = 1兆赫
    10
    2
    nF
    V
    GE
    16
    14
    12
    10
    8
    10
    0
    6
    4
    2
    0
    0
    200 400 600 800 1000120014001600 2000 NC
    10
    -1
    0
    CRSS
    科斯
    600 V
    800 V
    C
    10
    1
    西塞
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Q
    门
    V
    V
    CE
    40
    反向偏置安全工作区
    I
    Cpuls
    = F（V
    CE
    )
    ,
    T
    j
    = 150°C
    参数：
    V
    GE
    = ± 15 V,
    t
    p
    ≤
    1毫秒，L < 20 nH的
    2.5
    短路安全工作区
    I
    中信建投
    = F（V
    CE
    ) ,
    T
    j
    = 150°C
    参数：
    V
    GE
    = ± 15 V,
    t
    SC
    ≤
    10微秒，L < 20 nH的
    12
    I
    Cpuls
    I
    C
    的di / dt = 1000A / μs的
    3000A/µs
    5000A/µs
    1.5
    I
    中信建投
    /I
    C
    的di / dt = 1000A / μs的
    3000A/µs
    8
    5000A/µs
    6
    1.0
    4
    0.5
    °的允许数量
    短路： <1000
    总之°之间的时间
    2
    电路： >1s
    0.0
    0
    200
    400
    600
    800
    1000 1200
    V
    1600
    V
    CE
    0
    0
    200
    400
    600
    800 1000 1200
    V 1600
    V
    CE
    6
    Oct-27-1997

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