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    MP3275 参数 Datasheet PDF下载

    MP3275图片预览
    型号： MP3275
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 故障保护16通道， 12位数据采集子系统 [Fault Protected 16 Channel, 12-Bit Data Acquisition Subsystem]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 141 K
    品牌： EXAR [ EXAR CORPORATION ]
     浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MP3275的Datasheet PDF文件第9页  
    MP3275
    电气特性表
    除非另有规定： V
    DD
    = 5 V, V
    CC
    = 15 V, V
    EE
    = -15 V， GNDRef = 0 V ，T
    A
    = 25°C
    25
    °
    C
    典型值
    TMIN至TMAX
    民
    最大
    12
    参数
    分辨率（所有级别）
    主要特点
    决议
    转换时间，每通道
    精度（ A级）
    1
    符号
    N
    民
    12
    最大
    单位
    测试条件/评论
    位
    12
    t
    CONVR
    15
    12
    15
    位
    µs
    请参阅
    表6 。
    为
    输出编码
    微分非线性
    积分非线性
    零代码错误
    满量程误差
    电源抑制
    DNL
    INL
    EZS
    EFS
    3/4
    1
    2
    2
    2
    2
    10
    0.5
    最低位
    最低位
    最低位
    %
    2
    5
    0.1
    0.35
    最佳拟合线
    （ INL最大值 - 最小值INL ） / 2
    FFF 000 [十六进制]转型
    V
    REF
    IN = 4.000 V
    在满量程最大变化
    校准
    V
    CC
    = 15 V
    1.5
    V或12 V
    0.6
    V
    V
    DD
    = 5 V
    0.25
    V
    V
    EE
    = –15 V
    1.5
    V或
    –12 V
    0.6
    V
    –5 V
    0.25
    V
    参考电压
    电压输出
    参考文献。源出电流
    参考文献。灌电流
    模拟量输入
    输入电压范围
    3
    接地参考
    CM范围
    2
    CM RR
    输入阻抗
    输入电容
    2
    孔径延迟
    2
    通道到通道隔离
    2
    数字输入
    WR ， RD AB0 - AB4 ，
    亚丁， SDC
    逻辑“1”的电压
    逻辑“0”电压
    漏电流
    4
    输入电容
    2
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IN
    2.4
    –0.5
    –5
    5
    V
    IN
    GND REF 。
    –10
    –3
    R
    IN
    C
    IN
    t
    AP
    100
    待定
    130
    5
    180
    –80
    V
    REF （ + ）
    3.975
    3.0
    4.0
    4.0
    20
    1
    2
    1
    1
    2.5
    1
    最低位
    最低位
    最低位
    4.025
    3.970
    3.0
    4.030
    V
    mA
    µA
    10
    +3
    –10
    –3
    100
    10
    3
    V
    V
    LSB / V
    kΩ
    pF
    ns
    dB
    –70
    从WR低到高STL之后
    前高后低
    DC
    5.5
    0.8
    5
    2.4
    –0.5
    –10
    5.5
    0.8
    10
    V
    V
    µA
    pF
    V
    IN
    = GND到V
    DD
    修订版4.00
    4

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