1996年9月
BSS100 / BSS123
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的过程特别是针对已
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能。本产品是特别适合于低
电压，低电流的应用，如小型伺服
马达控制，功率MOSFET的栅极驱动器，和其他
开关应用。
特点
BSS100 ： 0.22A ， 100V 。 ř
DS （ ON）
= 6
Ω
@ V
GS
= 10V.
BSS123 ： 0.17A ， 100V 。 ř
DS （ ON）
= 6
Ω
@ V
GS
= 10V
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
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D
G
BSS100
BSS123
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
BSS100
BSS123
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
< 20K
Ω
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（T
P
＆ LT ; 50
µ
S)
100
100
± 14
± 20
0.22
0.9
0.63
-55到150
300
0.17
0.68
0.36
V
V
V
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
漏电流 - 连续
- 脉冲
总功率耗散@ T
A
= 25
°
C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热Resistacne ，结到环境
A
W
°C
°C
热特性
R
θ
JA
200
350
° C / W
©1997仙童半导体公司
BSS100牧师F1 / BSS123牧师F1
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
