1999年5月
BSS84 / BSS110
P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
工艺是为了尽量减少通态电阻，提供
坚固耐用，性能可靠和快速切换。他们
可以用，以最小的努力，在大多数应用中
需要高达0.17A DC ，并且可以提供脉冲电流高达
为0.68A 。此产品特别适合于低电压
应用程序需要低电流高侧开关。
特点
BSS84 ： -0.13A ， -50V 。 ř
DS （ ON）
= 10
Ω
@ V
GS
= -5V.
BSS110 ： -0.17A ， -50V 。 ř
DS （ ON）
= 10
Ω
@ V
GS
= -10V
受电压控制的p沟道小信号开关。
高密度电池设计低R
DS （ ON）
.
高饱和电流
.
____________________________________________________________________________________________
S
G
D
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
BSS84
BSS110
单位
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
< 20K的
Ω
)
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续@ T
A
= 30/35
o
C
- 脉冲
@ T
A
= 25
o
C
T
A
= 25
°
C
最大功率耗散
-0.13
-0.52
0.36
-50
-50
±20
-0.17
-0.68
0.63
-55到150
300
V
V
V
A
W
°C
°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
350
200
° C / W
©1997仙童半导体公司
BSS84牧师C1 / BSS110 。修订版A2
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
