FDC6301N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC6301N
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双N通道FET数字 [Dual N-Channel , Digital FET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 77 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1997年7月

FDC6301N

双N通道FET数字

概述

这些双N沟道逻辑电平增强型场

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的“专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程特别是针对减少通态电阻。

该设备已被设计特别适用于低电压

应用程序作为替换为数字晶体管。由于偏见

电阻器不是必需的，这些N沟道场效应管的可替换

几个数字晶体管，具有多种偏置电阻。

特点

25 V ， 0.22连续， 0.5 A峰值。

DS （ ON）

= 5

Ω

@ V

= 2.7 V

DS （ ON）

= 4

Ω

@ V

= 4.5 V.

非常低的水平栅极驱动要求可直接

操作3V电路。 V

GS （ TH）

< 1.5V 。

门源齐纳的ESD耐用性。

>6KV人体模型。

SOT-23

SuperSOT -6

马克： 0.301

SuperSOT -8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

逆变器应用

VCC

OUT

GND

绝对最大额定值

符号

DSS

, V

GSS

, V

, I

OUT

英镑

ESD

参数

= 25

C除非其他明智的注意

FDC6301N

单位

漏源电压，供电电压

栅源电压，V

漏/输出电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

0.22

0.5

0.9

0.7

-55到150

6.0

工作和存储温度范围

静电放电额定值MIL -STD- 883D

人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）

°C

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

140

° C / W

FDC6301N Rev.C

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案