FDC640P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC640P
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 80 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDC640P

2001年1月

FDC640P

P沟道2.5V的PowerTrench



指定MOSFET

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET采用了坚固耐用的

飞兆半导体的PowerTrench先进门版

流程。它已被优化的电源管理

具有广泛的栅极驱动电压的应用

(2.5V – 12V).

特点

•

-4.5 A， -20 V

DS （ ON）

= 0.053

Ω

@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 0.080

Ω

@ V

= –2.5 V

•

坚固的门等级（ ± 12V ）

•

开关速度快

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

应用

•

电池管理

•

负荷开关

•

电池保护

SuperSOT

-6

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

=25

C除非另有说明

参数

评级

–20

±12

（注1A ）

单位

°C

–4.5

–20

1.6

0.8

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

.640

设备

FDC640P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

2001

仙童半导体国际

FDC640P版本E（ W）

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案