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    FDD6670A 参数 Datasheet PDF下载

    FDD6670A图片预览
    型号： FDD6670A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 6 页 / 110 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6670A的Datasheet PDF文件第6页  
    FDD6670A
    典型特征
    10
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = 66A
    8
    2400
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    2000
    V
    DS
    = 10V
    电容（pF）
    6
    15V
    4
    20V
    1600
    C
    国际空间站
    1200
    800
    C
    OSS
    2
    400
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    30
    35
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    30
    图7.栅极电荷特性
    1000
    P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
    图8.电容特性
    100
    100
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    100µs
    R
    DS （ ON）
    极限
    1ms
    10ms
    100ms
    1s
    10s
    DC
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    o
    R
    θ
    JA
    = 96℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    o
    80
    单脉冲
    R
    θJA
    = 96 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    10
    60
    1
    40
    0.1
    20
    0.01
    0.01
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    100
    0
    0.01
    0.1
    1
    10
    t
    1
    ，时间（秒）
    100
    1000
    图9.最高安全工作区
    图10.单脉冲最大
    功耗
    1
    R（T ） ，规范有效的瞬变
    热阻
    D = 0.5
    0.2
    R
    θJA
    （吨） = R （t）的R *
    θJA
    R
    θ
    JA
    = 96 ° C / W
    P（ PK）
    0.0
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    t
    1
    t
    2
    单脉冲
    0.01
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θJA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    图11.瞬态热响应曲线
    热特性进行使用注1b中描述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDD6670A启E1 （W）的

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