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型号: FDD6670A
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内容描述: N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 197 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDD6670A
2000年2月
FDD6670A
N沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进工艺
已特别是针对减少导通状态
性,但维持优于低栅极电荷
开关性能。
特点
66 A, 30 V ř
DS ( ON)
= 0.008
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.010
@ V
GS
= 4.5 V.
低栅极电荷( 35nC典型值) 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
应用
DC / DC转换器
电机驱动
D
D
G
S
TO-252
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流
最大漏极电流
P
D
-Continuous
T
A
= 25 C
-Pulsed
T
C
= 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 25 C
T
J
, T
英镑
o
o
o
o
G
S
T
C
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
(注1 )
(注1A )
单位
V
V
A
±
20
66
15
100
70
3.2
1.3
-55到+150
最大功率耗散
(注1 )
(注1A )
(注1B )
W
工作和存储结温范围
°
C
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
热阻,结到环境
(注1 )
(注1A )
(注1B )
1.8
40
96
°
C / W
°
C / W
°
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD6670A
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDD6670A
带尺寸
13’’
胶带宽度
16mm
QUANTITY
2500
FDD6670A ,版本C