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    FDD6690A 参数 Datasheet PDF下载

    FDD6690A图片预览
    型号： FDD6690A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 118 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDD6690A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD6690A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD6690A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6690A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD6690A的Datasheet PDF文件第6页  
    FDD6690A
    典型特征
    100
    1.8
    V
    GS
    = 10.0V
    6.0V
    4.5V
    5.0V
    4.0V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 3.5V
    1.6
    80
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    60
    1.4
    4.0V
    4.5V
    5.0V
    6.0V
    3.5V
    40
    1.2
    1
    10.0V
    20
    3.0V
    0.8
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    2.5
    3
    0
    20
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    60
    80
    图1.区域特征
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压
    0.03
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 12A
    V
    GS
    = 10V
    1.4
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    0.025
    I
    D
    = 6A
    1.2
    0.02
    T
    A
    = 125 C
    0.015
    o
    1
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.01
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    T
    J
    ，结温（ C）
    125
    150
    0.005
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    图3.导通电阻变化
    withTemperature
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压
    1000
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    90
    V
    DS
    = 5V
    75
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    60
    45
    30
    15
    0
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    4
    4.5
    25
    o
    C
    T
    A
    =-55
    o
    C
    125 C
    o
    V
    GS
    = 0V
    100
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    o
    T
    A
    = 125 C
    25
    o
    C
    -55
    o
    C
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.4
    图5.传输特性
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度
    FDD6690A牧师EW ）

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