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    FDD8896 参数 Datasheet PDF下载

    FDD8896图片预览
    型号： FDD8896
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道MOSFET的PowerTrench [N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
    文件页数/大小： 11 页 / 527 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDD8896的Datasheet PDF文件第9页  
    FDD8896 / FDU8896
    四月
    2008
    FDD8896 / FDU8896
    N沟道
    30V ， 94A ， 5.7mΩ
    的PowerTrench
    ®
    MOSFET
    特点
    • r
    DS （ ON）
    = 5.7mΩ V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 35A
    ,
    ,
    • r
    DS （ ON）
    = 6.8mΩ V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 35A
    tm
    概述
    这N沟道MOSFET的设计专门为
    使用改进的DC / DC变换器的整体效率
    同步或传统开关PWM
    控制器。它已被优化的低门电荷，低
    r
    DS （ ON）
    和快速的开关速度。
    •高性能沟道技术极低
    r
    DS （ ON）
    •低栅极电荷
    应用
    • DC / DC转换
    •高功率和电流处理能力
    D
    G
    S
    I- PAK
    (TO-251AA)
    摹ð S
    G
    D
    D- PAK
    TO-252
    (TO-252)
    S
    MOSFET的最大额定值
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    连续（T
    C
    = 25
    o
    C，V
    GS
    = 10V ）（注1 ）
    I
    D
    连续（T
    C
    =
    脉冲
    E
    AS
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    单脉冲雪崩能量（注2 ）
    功耗
    减免上述
    25
    o
    C
    工作和存储温度
    25
    o
    C,
    V
    GS
    = 4.5V ）（注1）
    V
    GS
    = 10V ，其中R
    θJA
    =
    52
    o
    C / W ）
    连续（T
    AMB
    =
    25
    o
    C,
    94
    85
    17
    图4
    168
    80
    0.53
    -55至175
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    W/
    o
    C
    o
    C
    参数
    评级
    30
    ±20
    单位
    V
    V
    热特性
    R
    θJC
    R
    θJA
    R
    θJA
    热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251
    热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251
    热阻结到环境TO- 252 ，
    1in
    2
    铜层的面积
    1.88
    100
    52
    o
    o
    C / W
    C / W
    o
    C / W
    © 2008飞兆半导体公司
    FDD8896 / FDU8896版本C2

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