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FDG6301N 参数 Datasheet PDF下载

FDG6301N图片预览
型号: FDG6301N
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内容描述: 双N通道FET数字 [Dual N-Channel, Digital FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 228 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
6
V
GS
,栅源电压(V )
30
I
D
= 0.22A
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
V
DS
= 5V
10V
电容(pF)
15
西塞
8
科斯
5
CRSS
3
2
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.3
1
3
10
25
V
DS
,漏源极电压( V)
0.3
0.4
0.5
0.6
Q
g
,栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性
.
1
50
I
D
,漏电流( A)
0.3
S
RD
(O
N
IM
)L
IT
10m
s
10
0m
s
功率(W)的
40
单脉冲
R
θ
JA
=415°C/W
T
A
= 25°C
0.1
1s
30
0.03
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 415 ° C / W
T
A
= 25°C
0.8
2
5
10
s
DC
20
10
0.01
0.4
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
1
瞬态热阻
R(T ) ,规范有效
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
=415
° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.002
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
200
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注意事项1所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDG6301N Rev.E1