FDN336P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN336P
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内容描述：	单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 73 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDN336P

2005年1月

FDN336P

单P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET产生

运用

飞兆半导体

安森美半导体

先进

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

低栅极电荷为出色的开关性能。

这些装置非常适用于便携式电子

应用：负载开关和电源管理，

电池充电电路和DC / DC转换。

特点

•

-1.3 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.20

Ω

@ V

= –4.5 V

DS （ ON）

= 0.27

Ω

@ V

= –2.5 V

低栅极电荷（ 3.6 NC典型值）

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

SuperSOT

-3提供低R

DS （ ON）

和30％的

比SOT23封装的高功率处理能力

同样足迹

SuperSOT -3

=25

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

参数

评级

–20

±8

（注1A ）

单位

°C

–

1.3

–10

0.5

0.46

-55到+150

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

336

设备

FDN336P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDN306P版D

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