FDS4435
1999年6月
FDS4435
P沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进工艺
已特别针对减少通态
性，但保持出色的开关
性能。
这个装置是非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
-8.8 A， -30 V. ř
DS （ ON）
= 0.020
Ω
@ V
GS
= -10 V
R
DS （ ON）
= 0.035
Ω
@ V
GS
= -4.5 V
低栅极电荷（ 17nC典型值） 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
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©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4435 Rev. D的
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
