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    FDS6898A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6898A图片预览
    型号： FDS6898A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 82 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6898A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6898A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6898A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6898A的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS6898A
    典型特征
    40
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3.0V
    2.5V
    30
    2.2
    2
    V
    GS
    = 2.0V
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    0
    10
    20
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    30
    40
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    20
    2.0V
    2.5V
    3.0V
    4.0V
    4.5V
    10
    0
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.038
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = 4.7A
    0.03
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 9.4A
    V
    GS
    = 4.5V
    1.4
    1.2
    0.022
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.014
    T
    A
    = 25 C
    0.006
    o
    1
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    1
    2
    3
    4
    5
    T
    J
    ，结温（ C）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    40
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    30
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    T
    A
    = -55
    o
    C
    25 C
    125 C
    o
    o
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    A
    = 125
    o
    C
    1
    25
    o
    C
    20
    0.1
    -55 C
    o
    0.01
    0.001
    0.0001
    10
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6898A版本C （ W）

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