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    FDS6912 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6912图片预览
    型号： FDS6912
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 76 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6912的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS6912
    典型特征
    30
    V
    GS
    = 10V
    24
    我，漏SOUR CE CURREN T（A ）
    6.0V
    5.0V
    4.5V
    2
    1.8
    1.6
    V
    GS
    = 4.0V
    18
    4.0V
    12
    1.4
    1.2
    1
    4.5V
    5.0V
    3.5V
    6.0V
    7.0V
    10V
    D
    6
    3.0V
    0
    0
    1
    1
    2
    2
    V
    DS
    ，D RAIN酸味CE VOL
    TAGE （ V）
    3
    3
    0.8
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    8
    1.6
    1.5
    漏源导通电阻
    1.4
    1.3
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    R
    DS （ ON）
    ，归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 6.3A
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    （ OHM ）
    I = 3.0A
    7
    D
    6
    5
    T
    A
    = 125 C
    4
    o
    3
    2
    0.7
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    125
    150
    1
    2
    4
    V
    GS
    25
    o
    C
    6
    ，栅源电压（V ）
    8
    10
    图3.导通电阻变化
    withTemperature 。
    20
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    15
    T
    J
    = -55°C
    25°C
    125°C
    10
    V
    GS
    = 0V
    T
    A
    = 125 C
    1
    25 C
    o
    o
    10
    0.1
    0.01
    -55 C
    o
    5
    0.001
    0.0001
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    5
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6912版本E（ W）

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