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FDS6930A 参数 Datasheet PDF下载

FDS6930A图片预览
型号: FDS6930A
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内容描述: 双N沟道逻辑电平, PowerTrenchTM MOSFET [Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 196 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
30
I
D
,漏源电流(A )
4
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
归一化
24
V
GS
=10V 6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3
V
GS
= 3.0V
3.5 V
18
3.5V
12
2
4.0 V
4.5 V
5.5 V
10V
6
3.0V
1
0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源电压(V )
0
6
12
18
24
30
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.2
1.6
漏源导通电阻
1.4
I
D
= 5.5A
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 2.5A
0.15
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.1
1
125°C
0.05
0.8
25°C
0
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T
J
,结温( ° C)
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
I
S
,反向漏电流( A)
15
20
V
DS
=5.0V
I
D
,漏电流( A)
12
TJ = -55°C
125°C
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
0.1
25°C
1
9
6
-55°C
0.01
3
0
0.001
1
2
3
4
5
0
V
GS
,门源电压( V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.4
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS6930A Rev.D