FDS7096N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS7096N3
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内容描述：	30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 171 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS7096N3

2004年1月

FDS7096N3

30V N沟道的PowerTrench



MOSFET

概述

这N沟道MOSFET的设计

具体而言，以提高直流/直流整体效率

使用同步或传统转换器

开关PWM控制器。它已被优化为

低栅极电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

•

14 A， 30 V

DS （ ON）

= 9毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 12毫欧@ V

= 4.5 V

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

•

快速开关

•

FLMP SO- 8封装：增强热

在业界标准的封装尺寸性能

应用

•

DC / DC转换器

电源管理

负荷开关

底侧

漏接触

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

°C

3.0

1.5

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

0.5

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS7096N3

2004

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDS7096N3

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS7096N3版本E2 （ W）

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