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型号：	FDS9926A
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内容描述：	双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	5 页 / 117 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS9926A

2003年7月

FDS9926A

双N沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这些N沟道2.5V指定使用的MOSFET

飞兆半导体的PowerTrench先进

流程。它已被优化的电源管理

具有广泛的栅极驱动电压的应用

(2.5V – 10V).

特点

6.5 A， 20 V

DS （ ON）

= 30毫欧@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 43毫欧@ V

= 2.5 V.

•

优化的电池保护电路中使用

•

低栅电荷

应用

•

电池保护

•

负荷开关

•

电源管理

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

±10

（注1A ）

单位

6.5

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS9926A

设备

FDS9926A

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

仙童半导体公司

FDS9926A版本E（ W）

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