FDS9933A
1998年11月
FDS9933A
双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™
概述
这些P沟道2.5V MOSFET的指定生产
利用飞兆半导体先进的PowerTrench
已特别是针对减少的过程中
通态电阻,但保持为低栅极电荷
出色的开关性能。
特点
•
-3.8 A, -20 V. ř
DS ( ON)
= 0.075
Ω
•
•
低栅极电荷( 7nC典型值) 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
@ V
GS
= -4.5 V
R
DS ( ON)
= 0.105
Ω
@ V
GS
= -2.5 V.
应用
•
负荷开关
•
DC / DC转换器
•
电机驱动
•
•
高功率和电流处理能力。
D2
D1
D1
G2
D2
5
6
7
8
4
3
2
1
SO-8
针
1
S1
G1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
FDS9933A
-20
(注1A )
单位
V
V
A
W
±
8
-3.8
-20
2.0
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
1.6
1.0
0.9
-55到+150
°
C
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
°
C / W
°
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS9933A
设备
FDS9933A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS9933A版本C