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    FQA11N90C 参数 Datasheet PDF下载

    FQA11N90C图片预览
    型号： FQA11N90C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 900V N沟道MOSFET [900V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 823 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FQA11N90C的Datasheet PDF文件第8页  
    FQA11N90C_F109 900V N沟道MOSFET
    包装标志和订购信息
    器件标识
    FQA11N90C
    设备
    FQA11N90C_F109
    包
    TO-3PN
    带尺寸
    --
    胶带宽度
    --
    QUANTITY
    30
    电气特性
    符号
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    /
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    注意事项：
    T
    C
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，正向
    门体漏电流，反向
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µA
    I
    D
    = 250
    µA,
    参考25 ℃下
    V
    DS
    = 900 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 720 V，T
    C
    = 125°C
    V
    GS
    = 30 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -30 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µA
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 5.5 A
    V
    DS
    = 50 V，I
    D
    = 5.5 A
    V
    DS
    = 25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    （注4 ）
    民
    900
    --
    --
    --
    --
    --
    3.0
    --
    --
    --
    --
    --
    典型值
    --
    1.02
    --
    --
    --
    --
    --
    0.91
    9.0
    2530
    215
    23
    最大单位
    --
    --
    10
    100
    100
    -100
    5.0
    1.1
    --
    3290
    280
    30
    V
    V /°C的
    µA
    µA
    nA
    nA
    V
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    基本特征
    动态特性
    开关特性
    V
    DD
    = 450 V，I
    D
    = 11.0A,
    R
    G
    = 25
    Ω
    --
    --
    --
    （注4,5）
    60
    130
    130
    85
    60
    13
    25
    --
    --
    --
    1000
    17.0
    130
    270
    270
    180
    80
    --
    --
    --
    --
    --
    V
    DS
    = 720 V，I
    D
    = 11.0A,
    V
    GS
    = 10 V
    （注4,5）
    --
    漏源二极管的特性和最大额定值
    最大连续漏源二极管的正向电流
    最大脉冲漏源二极管的正向电流
    漏源二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    =11.0 A
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 11.0 A,
    dI
    F
    / DT = 100 A / μs的
    （注4 ）
    --
    --
    --
    --
    --
    11.0
    44
    1.4
    --
    --
    A
    A
    V
    ns
    µC
    1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
    2， L = 15MH ，我
    AS
    = 11.0A ，V
    DD
    = 50V ，R
    G
    = 25
    Ω,
    起始物为
    J
    = 25°C
    3. I
    SD
    ≤
    11.0A ， di / dt的
    ≤200A/µs,
    V
    DD
    ≤
    BV
    DSS ，
    起始物为
    J
    = 25°C
    4.脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤
    2%
    5.基本上是独立工作温度
    FQA11N90C_F109版本A
    2
    www.fairchildsemi.com

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