FSDH321 ， FSDL321
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
SENSE FET节
零栅极电压漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
(1)
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
控制部分
开关频率
开关频率调制
开关频率
开关频率调制
开关频率变化
(2)
最大占空比
UVLO阈值电压
反馈源电流
内部软启动时间
突发模式部分
突发模式电压
保护科
峰值电流限制
限流延迟时间
(3)
热关断温度
(3)
关机反馈电压
过电压保护
关机延迟电流
前沿消隐时间
设备总段
工作电源电流
（控制部分只）
启动时的充电电流
VSTR电源电压
符号
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
f
OSC
∆f
MOD
f
OSC
∆f
MOD
∆f
OSC
D
最大
V
开始
V
停止
I
FB
t
S/S
V
BURH
V
树榴
条件
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
=520V, V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
分钟。
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
±2.5
45
±1.0
-
62
71
11
7
0.7
10
0.4
0.25
-
典型值。
-
-
14
1.3
162
18
3.8
9.5
19
33
42
7.0
3.1
0.4
100
±3.0
50
±1.5
±5
67
77
12
8
0.9
15
0.5
0.35
150
0.70
600
145
6.0
19
5.0
-
3
0.85
-
马克斯。
25
200
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
±3.5
55
±2.0
±10
72
83
13
9
1.1
20
0.6
0.45
-
0.80
-
-
6.5
20
6.5
-
5
1.0
-
单位
µA
Ω
S
pF
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DS
= 325V ，我
D
=1.0A
ns
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
=325V
nC
FSDH321
FSDL321
-25°C
≤
Ta
≤
85°C
FSDH321
FSDL321
V
FB
= GND
V
FB
= GND
V
FB
= GND
V
FB
=4V
Tj=25°C
千赫
千赫
千赫
千赫
%
%
%
V
V
mA
ms
V
V
mV
A
ns
°C
V
V
µA
ns
mA
mA
V
V
BUR （ HYS ）
迟滞
I
LIM
t
CLD
T
SD
V
SD
V
OVP
I
延迟
t
LEB
I
OP
I
CH
V
STR
Tj=25°C,
∆i/∆t=250mA/us
0.60
Tj=25°C
-
125
5.5
18
V
FB
=4V
3.5
200
V
CC
=14V, V
FB
=0V
V
CC
=0V
V
CC
=0V
1
0.7
35
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，值班
≤
2%
2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程
3.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试
5
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
