IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
2002年1月
IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
N沟道功率MOSFET
200V ， 18A ， 0.15
Ω
特点
•超低导通电阻
- r
DS （ ON）
= 0.102
Ω
（典型值）
,
V
GS
=
10V
•仿真模型
- 温度补偿的PSpice®和SABER
©
电气模型
- 香料和SABER
©
热阻抗模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS Rateing曲线
漏
（法兰）
漏
（法兰）
来源
漏
门
来源
漏
门
D
门
来源
漏
（法兰）
G
TO-263
TO-262
TO-220
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V)
连续（T
C
= 100
o
C，V
GS
= 10V)
脉冲
单脉冲雪崩能量（注1 ）
功耗
减免上述25
o
C
工作和存储温度
参数
评级
200
±
20
18
13
图4
247
150
1.0
-55至175
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
热阻结到外壳TO- 220 ， TO- 262 ， TO- 263
热阻结到环境TO- 220 ， TO- 262 ， TO- 263
热阻结到环境TO- 263 ， 1英寸
2
铜层的面积
1.0
62
40
o
C / W
o
C / W
o
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
640N
640N
640N
设备
IRF640NS
IRF640NL
IRF640N
包
TO-263AB
TO-262AA
TO-220AB
带尺寸
330mm
管
管
胶带宽度
24mm
不适用
不适用
QUANTITY
800个
50
50
©2002仙童半导体公司
版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
