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    IRFP250 参数 Datasheet PDF下载

    IRFP250图片预览
    型号： IRFP250
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 200V N沟道MOSFET [200V N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 8 页 / 670 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFP250的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFP250B
    典型特征
    10
    2
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    GS
    15.0 V
    10.0 V
    8.0 V
    7.0 V
    6.5 V
    6.0 V
    5.5 V
    底部： 5.0 V
    上图：
    10
    2
    10
    1
    150 C
    25 C
    10
    0
    o
    10
    1
    o
    -55 C
    ※
    注意事项：
    1. V
    DS
    = 40V
    2. 250μ s脉冲测试
    o
    ※
    注意事项：
    1. 250μ s脉冲测试
    2. T
    C
    = 25℃
    10
    -1
    10
    0
    10
    10
    0
    -1
    10
    1
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    图1.区域特征
    图2.传输特性
    0.4
    10
    2
    R
    DS （ ON）
    [Ω ],
    漏源导通电阻
    0.2
    V
    GS
    = 20V
    I
    DR
    ，反向漏电流[ A]
    0.3
    V
    GS
    = 10V
    10
    1
    150℃ 25℃
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0V
    2. 250μ s脉冲测试
    0
    0.1
    ※
    注：t
    J
    = 25℃
    0.0
    0
    30
    60
    90
    120
    10
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    1.8
    2.0
    I
    D
    ，漏电流[ A]
    V
    SD
    ，源极 - 漏极电压[ V]
    图3.导通电阻变化VS
    漏电流和栅极电压
    图4.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度
    8000
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    (C
    ds
    =短路）
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    C
    RSS
    = C
    gd
    12
    V
    DS
    = 40V
    10
    6000
    V
    DS
    = 100V
    V
    GS
    ，栅源电压[V]
    8
    V
    DS
    = 160V
    电容[ pF的]
    C
    国际空间站
    4000
    6
    C
    OSS
    C
    RSS
    ※
    注意事项：
    1. V
    GS
    = 0 V
    2. F = 1 MHz的
    4
    2000
    2
    ※
    注：我
    D
    = 32 A
    0
    -1
    10
    0
    10
    0
    10
    1
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    V
    DS
    ，漏源电压[V]
    Q
    G
    ，总栅极电荷[ NC ]
    图5.电容特性
    图6.栅极电荷特性
    ©2001仙童半导体公司
    版本C ， 2001年11月

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