MBR1035-MBR1060
MBR1035 - MBR1060
特点
•
•
•
•
•
•
低功耗，高效率。
高浪涌能力。
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
保护应用。
金属硅交界处，多数载流子
传导。
高电流能力，低正向
电压降。
保护环，过电压保护。
PIN 1 +
+
PIN 2 -
个案的实证
例
1
2
TO-220AC
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1035
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
35
价值
1045
45
10
150
-65到+175
-65到+150
1050
50
1060
60
单位
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境
热阻，结领导
参数
价值
2.0
60
2.0
单位
W
° C / W
° C / W
电气特性
符号
V
F
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
1035
I
F =
10 A，T
C
= 25°C
I
F =
10 A，T
C
= 125°C
I
F =
20 A，T
C
= 25°C
I
F =
20 A，T
C
= 125°C
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
峰值重复反向浪涌电流
2.0我们脉宽， F = 1.0千赫
-
0.57
0.84
0.72
设备
1045
1050
0.80
0.70
0.95
0.85
0.1
15
1.0
0.5
1060
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
I
R
I
RRM
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MBR1035 - MBR1060 ，版本C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
