2N5551- MMBT5551 NPN通用放大器
2006年4月
2N5551- MMBT5551
NPN通用放大器
特点
•本设备是专为通用高电压放大器和气体放电的显示驱动程序。
•后缀“ -C ”是指中心收集的2N5551 （ 1辐射源2.收藏家3.基地）
•后缀“ -Y ”组件H
FE
180 2N5551 〜 240 （
测试条件：我
C
= 10毫安，V
CE
= 5.0V
)
tm
2N5551
3
MMBT5551
2
TO-92
1
SOT-23
标记： 3S
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值*
T
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
注意事项：
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
结温和存储温度
价值
160
180
6.0
600
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
1.这些额定值是基于对150度C的最高结温
2.这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
P
D
R
θJA
R
θJA
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
2N5551
625
5.0
83.3
200
357
*MMBT5551
350
2.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*设备安装在FR- 4 PCB 1.6"
×
1.6"
×
0.06."
©2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
2N5551- MMBT5551版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
