MOC3081 ， MOC3082 ， MOC3083
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
输入LED
反向漏电流（ VR = 6 V）
正向电压（ IF = 30 mA）的
输出检测
（IF = 0）
漏带LED熄灭，任一方向（ VDRM = 800 V （ 1 ） ）
断态电压临界上升率（ 3 ）
再加
LED触发电流，电流要求为锁存输出
（主端电压为3 V（ 2 ） ）
MOC3081
MOC3082
MOC3083
峰值通态电压，任一方向
（ ITM = 100 mA时， IF =额定IFT）
保持电流，两个方向
禁止电压（ MT1 - MT2电压高于该设备将无法
触发）
（ IF =额定IFT）
泄漏抑制状态
（ IF =额定IFT ， VDRM = 800 V，关闭状态）
1.
2.
2.
3.
IFT
—
—
—
VTM
IH
VINH
—
—
—
—
—
—
1.8
250
5
15
10
5
3
—
20
伏
µA
伏
mA
IDRM1
dv / dt的
—
600
80
1500
500
—
nA
V / μs的
IR
VF
—
—
0.05
1.3
100
1.5
µA
伏
符号
民
典型值
最大
单位
IDRM2
—
300
500
µA
测试电压必须在dv / dt的评级被应用。
所有器件均保证触发以IF值小于或等于最大IFT 。因此，建议操作IF最大的谎言
IFT （15毫安MOC3081 10毫安MOC3082 5毫安MOC3083 ）和绝对最大IF （60 mA）的。
这是静态的dv / dt 。参见图7，用于测试电路。换向dv / dt为唯一的负载驱动晶闸管（多个）的一个函数。
典型特征
1.5
+800
ITM ，通态电流（毫安）
+600
+400
+200
0
–200
–400
–600
–800
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
VTM ，通态电压（伏）
4
5
输出脉冲宽度 - 80
µs
IF = 30毫安
F = 60赫兹
TA = 25°C
1.4
1.3
V INH ，归一化
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
–40
归一
TA = 25°C
–20
0
20
40
60
TA ，环境温度（ ° C）
80
100
图1.开启状态特性
图2.禁止电压与温度
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
