1996年3月
NDC7002N
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些双N沟道增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的,高密度, DMOS技术。这
非常高密度的过程被设计以最小化
通态电阻,提供坚固可靠
性能和快速切换。这些设备是
特别适用于低电压应用需要
低电流高侧开关。
特点
0.51A , 50V ,R
DS ( ON)
= 2
Ω
@ V
GS
=10V
高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高饱和电流。
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4
3
5
2
6
SOT- 6 ( SuperSOT
TM
-6)
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
P
D
最大功率耗散
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
NDC7002N
50
20
0.51
1.5
0.96
0.9
0.7
-55到150
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
130
60
° C / W
° C / W
©1997仙童半导体公司
NDC7002N.SAM