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NDC7002N 参数 Datasheet PDF下载

NDC7002N图片预览
型号: NDC7002N
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 10 页 / 259 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型的热特性
1.2
稳态功率耗散( W)
I
D
,稳定状态下的漏电流(A)
0.55
1.1
1a
0.5
1
1a
1b
0.9
1b
0.45
1c
0.8
1c
0.4
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5 C
静止的空气中
V
的s
= 1 0 V
o
0.7
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 2 5 C
静止的空气中
o
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
1
0.35
0
0.025
0.05
0.075
0.1
2
2盎司覆铜安装垫面积( )
0.125
图12. SOT - 6双包装最大
稳态功耗与铜
贴装焊盘面积。
3
2
1
I
D
,漏电流( A)
0.5
RD
N
S(O
IM
)L
IT
图13.最大稳态漏
电流对铜安装垫
区。
10
0
1米我们
s
10
ms
0.2
0.1
10
0m
s
V
0.05
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
J A
=见注释1℃
T
A
= 25°C
1
2
1s
DC
0.02
0.01
5
10
20
V
DS
,漏源电压(V )
50
70
图14.最大安全工作区。
1
瞬态热阻
0 .5
D = 0.5
R(T ) ,规范有效
0 .2
0 .1
0.05
0.2
0.1
P( PK)
0.05
0.02
0.01
R
JA
(吨) = R (t)的R *
JA
θ
θ
R
JA
=见注释1℃
θ
t
1
T
J
- T
t
2
0.02
0.01
0 .0 0 0 1
单脉冲
= P * R
JA
(t)
A
θ
占空比D = T
1
/ t
2
0 .0 1
0 .1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
0 .001
图15.瞬态热响应曲线
.
注意:
热特性进行使用笔记1c中描述的条件。瞬态热响应将发生变化
根据电路板的设计。
NDC7002N.SAM