1996年5月
NDS9435A
单P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
工艺特别适合于减小导通状态
电阻，优越的开关性能及
承受高能量脉冲雪崩和
换模式。这些设备特别适合
对于低电压应用，如笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路
其中，快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
到需要的瞬变。
特点
-5.3A ， -30V 。 ř
DS （ ON）
= 0.05
Ω
@ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 0.07
Ω
@ V
GS
= -6V
R
DS （ ON）
= 0.09
Ω
@ V
GS
= -4.5V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON） 。
高功率和电流处理能力的广泛
常用的表面贴装封装。
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D
D
D
D
5
6
S
G
7
8
4
3
2
1
SO-8
针
1
S
S
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS9435A
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
（注1A ）
-30
± 20
± 5.3
± 20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
V
V
A
P
D
最大功率耗散
2.5
1.2
1
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
©1999仙童半导体公司
NDS9435A版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
