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型号: NDS9936
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 345 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1996年2月
NDS9936
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的,高电池产生
密度, DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻,提供
出色的开关性能。这些器件特别
适用于低电压应用,如直流/直流转换
磁盘驱动电机的控制,和其它电池供电的电路
其中,快速开关,低线的功率损耗,以及电阻
需要瞬变。
特点
5A, 30V 。 ř
DS ( ON)
= 0.05
@ V
GS
= 10V.
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装。
________________________________________________________________________________
5
4
3
2
1
6
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲
P
D
@ T
A
= 25°C
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
(注1A )
NDS9936
30
± 20
± 5.0
± 4.0
± 40
2
1.6
1
0.9
-55到150
78
40
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
°C
° C / W
° C / W
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
(注1A )
(注1 )
©1997仙童半导体公司
NDS9936.SAM