1996年2月
NDS9952A
双N & P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲的
雪崩和减刑模式。这些设备是
特别适用于低电压应用，如
笔记本电脑的电源管理和其他
电池供电的电路中快速切换，低线
需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
N通道3.7A ， 30V ，R
DS （ ON）
=0.08
Ω
@ V
GS
=10V.
P沟道-2.9A ， -30V ，R
DS （ ON）
=0.13
Ω
@ V
GS
=-10V.
高密度电池设计还是非常低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
双（N & P沟道） MOSFET的表面贴装封装。
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5
4
3
2
1
6
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25 ° C除非另有说明
N沟道
30
± 20
（注1A ）
P沟道
-30
± 20
± 2.9
± 10
2
单位
V
V
A
± 3.7
± 15
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
W
1.6
1
0.9
-55到150
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
NDS9952A.SAM
©1997仙童半导体公司
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
