SI4435DY 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SI4435DY
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内容描述：	30V P沟道PowerTrench MOSFET [30V P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 93 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

SI4435DY

2001年10月

SI4435DY

30V P沟道PowerTrench

MOSFET

概述

这个P

声道MOSFET是一个坚固的门版本

飞兆半导体的PowerTrench先进

流程。它已被优化的电源管理

需要大范围给驱动器的应用

额定电压（ 4.5V - 25V ）。

特点

•

-8.8 A， -30 V

DS （ ON）

= 20毫欧@ V

= –10 V

DS （ ON）

= 35毫欧@ V

= –4.5 V

•

低栅极电荷（ 17nC典型值）

•

开关速度快

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

应用

•

电源管理

•

负荷开关

•

电池保护

SO-8

销1

SO-8

s克

S S

=25

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

–30

±20

（注1A ）

单位

–8.8

–50

2.5

1.2

-55到+175

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

, T

英镑

工作和存储结温范围

°C

热特性

θJA

θJ

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1C ）

（注1 ）

125

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

SI4435DY

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

SI4435DY

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

SI4435DY版本D1 （ W）

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