IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

GRM0335C2A6R6WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

1 MURATA

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极

0 INFINEON

GQM22M5C2H320GB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCM1885C2A8R7DA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

V23990-P589-A418Y-PM

Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

暂无信息

0 VINCOTECH

RRR030P03HZG

RRR030P03HZG是低导通电阻MOSFET，适合开关应用。

开关

1 ROHM

XDPS2201

XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器，它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET，例如CoolMOSTM，混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法，可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关，提高了效率。此外，变压器漏感能量被回收，更进一步提高效率。

变压器开关反激控制驱动控制器高压

0 INFINEON