飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V2150N
第4版， 4/2010
射频功率现场
-Effect晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达450 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
•
在220 MHz的典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 450毫安，
P
OUT
= 150瓦
功率增益 - 25分贝
漏极效率 - 68.3 ％
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 220兆赫， 150瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
合格高达50伏的最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
225℃有能力塑料包装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V2150NR1
MRF6V2150NBR1
10-
-450兆赫， 150 W， 50 V
横向N-
声道
单
-ENDED
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V2150NR1
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V2150NBR1
部分单
-ENDED
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-- 0.5, +110
-- 0.5, + 12
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
（ TOP VIEW ）
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.24
单位
° C / W
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 150瓦CW
图1.引脚连接
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
1
RF设备数据
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
