飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V4300N
第3版， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
•
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦，
F = 450 MHz的
功率增益 - 22分贝
漏极效率 - 60 ％
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
合格高达50伏的最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
225℃有能力塑料包装
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V4300NR1
MRF6V4300NBR1
10-
-600兆赫， 300 W， 50 V
横向N-
声道
单
-ENDED
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V4300NR1
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V4300NBR1
部分单
-ENDED
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
图1.引脚连接
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
©
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
