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ATC100B2R7BT500XT 参数 Datasheet PDF下载

ATC100B2R7BT500XT图片预览
型号: ATC100B2R7BT500XT
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 20 页 / 1270 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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470-
-860 MHz的参考电路
V
DD
= 50伏,我
DQ
= 1400毫安,信道带宽为8 MHz的输入
信号PAR =上CCDF ,T 9.5分贝@ 0.01 %概率
C
= 50°C.
P
OUT
(W)
125的魅力。
f
(兆赫)
470
650
860
G
ps
( dB)的
19.0
20.3
19.0
η
D
(%)
27.2
30.6
27.9
产量
PAR
( dB)的
8.2
7.6
7.7
IMD
( DBC)
--31.1
--30.3
--30.4
信号类型
DVB - T( 8K OFDM )
R1
C1
C2
L1
C16
C17
C18
C19
COAX1
C3
C20
C22*
COAX3
C31
C33*
C6
C4 C5
C6
C7
C8
C12*
C10
C21*
C23*
C24*
C25*
C28*
C27*
C34 C32
C26*
C29* C30*
C35
C9*
C11*
COAX2
MRFE6VP8600H
第1版
C13
C14
L2
R2
C15
Q1
C36
COAX4
C39
C37
C38
C40
* C9, C11,C12 , C21,C22 ,C23 ,C24 ,C25 ,C26 , C27 ,C28 , C29 , C30和C33被垂直地安装。
图14. MRFE6VP8600HR6 ( HSR6 )宽带测试电路元件布局 - 470〜
-860兆赫
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
9