表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
P
D
T
J
价值
--0.5, +40
--6.0, +12
17, +0
--65到150
294
1.47
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
W
W / ℃，
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 31 W¯¯ CW ， 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， 520兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.67
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
A，通过100伏
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 115
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 7.5 ADC）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.6
—
—
2.1
0.13
5.8
2.6
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
2
1
600
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
