GFCG40 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GFCG40
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内容描述：	N沟道高电压功率MOSFET [N Channel High voltage, Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 107 K
品牌：	GSG [ GUNTER SENICONDUCTOR GMBH. ]

冈特半导体有限公司

N沟道高电压功率MOSFET

GFCG40

芯片的特定网络阳离子

概述：

*先进的工艺技术

*动态的dv / dt额定值

* 150 ℃工作温度

℃

*快速切换

*全额定雪崩

*高击穿电压

机械数据：

D23

维

5.64毫米X 5.64毫米

480

厚度：

金属化：

上图：

CrNiAg /金

背面：

建议粘合条件：

模具安装方式：

焊锡执行

95/5铅锡或92.5 / 2.5 / 5 PbAgIn

10密耳的铝

源极连接线：

绝对最大额定值

特征

漏极至源极击穿电压

静态漏 - 源极导通电阻

连续漏极电流（在目标packag

工作结

储存温度

@Ta=25℃

℃

符号

V（ BR ） DSS

RDS （ ON）

ID@25℃

ID@100℃

极限

单位

测试条件

= 0V时，我

=250µΑ

= 10V ，我

=2.6Α

VGS=10V

1000

3.5

4.3

2.7

Ω

-55~150

℃

-55~150

℃

STR

目标设备： IRFG40

TO-247AC

150 W

@Tc=25℃

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