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2SB1407LB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1407LB
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 33 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SB1407(L)/(S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
–35
–35
–5
–2.5
–3
18
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压
符号
V
( BR ) CBO
–35
–35
–5
60
20
典型值
最大
–20
320
–1.5
–1.0
V
V
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= -1毫安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,R
BE
=
I
E
= -1毫安,我
C
= 0
V
CB
= -35 V,I
E
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= –0.5 A*
2
V
CE
= -2 V,I
C
= –1.5 A*
2
V
CE
= -2 V,I
C
= –1.5 A*
2
I
C
= -2 A,I
B
= –0.2 A*
2
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
V
BE
V
CE ( SAT )
注:1. 2SB1407 (L) / (S)是用h分组
FE1
如下。
B
60至120
C
100至200
D
160到320
2.脉冲测试。
2