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2SB1409LB 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2SB1409LB
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内容描述：	[Si, POWER TRANSISTOR]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 38 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SB1409(L)/(S)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

P

C

*

1

Tj

TSTG

评级

–180

–160

–5

–1.5

–3

18

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

–180

–160

–5

—

60

30

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

240

25

最大

—

—

—

–10

200

—

–1

–1.5

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

µA

测试条件

I

C

= -1毫安，我

E

= 0

I

C

= -10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= -1毫安，我

C

= 0

V

CB

= -160 V，I

E

= 0

V

CE

= -5 V，I

C

= -150毫安*

2

V

CE

= -5 V，I

C

= -500毫安*

2

I

C

= -500毫安，我

B

= -50毫安

V

CE

= -5 V，I

C

= ± 150毫安

V

CE

= -5 V，I

C

= ± 150毫安

V

CB

= -10 A，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

V

（ BR ） EBO

I

CBO

h

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

COB

注：1. 2SB1409 （L） / （S）是用h分组

FE1

如下。

B

60至120

C

100至200

2.脉冲测试。

2

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