H07N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	H07N60
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内容描述：	N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 61 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

特性曲线

在区域特征

1.6

规格。编号： MOS200604

发行日期： 2006年2月1日

修订日期： 2006年2月7日

页页次： 3/5

典型导通电阻&漏电流

漏源导通电阻-R

DS （ ON）

=10V

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

=10V

ID ，漏源电流（A ）

=8V

=6V

=5V

VDS ，漏源电压（ V）

漏电流-I

(A)

漏电流的变化与栅极电压&

温度

=10 V

典型导通电阻&漏电流

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

TC = 25℃

漏源导通电阻-R

DS （ ON）

漏源电流-I

(A)

=10V

=15V

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

栅源电压-V

(V)

漏电流-I

(A)

导通电阻随温度的变化

2.50

=10 V

电容特性

2000

归漏源开 -

电阻-R

DS （ ON）

2.00

1500

电容（pF）

西塞

科斯

CRSS

500

1.50

=3A

1000

1.00

0.50

0.00

100

外壳温度锝（ C）

125

150

0.1

100

， Deain - 源极电压（ V）

H07N60E ， H07N60F

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