欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HE8051S 参数 Datasheet PDF下载

HE8051S图片预览
型号: HE8051S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 40 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HE8051S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HE8051S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HE8051S的Datasheet PDF文件第4页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6111
发行日期: 1992年9月30日
修订日期: 2002年3月6日
页页次: 1/4
HE8051S
NPN外延平面晶体管
描述
该HE8051S是专为通用放大器应用。
绝对最大额定值
TO-92
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
25
20
5
-
-
-
-
100
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
-
-
马克斯。
-
-
-
1
100
0.5
1
500
-
-
10
单位
V
V
V
uA
nA
V
V
测试条件
IC=10uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=20V
VEB=6V
IC = 0.5A , IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 1V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz时, IE = 0
兆赫
pF
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
分类的hFE的
hFE1
hFE2
C
100-180
-
C1
100-180
>100
D
160-300
-
D1
160-300
>100
E
250-500
-
HE8051S
HSMC产品规格