HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6824
发行日期： 1993年8月27日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT5088
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBT5088是专为低噪声，高增益，通用
放大器应用。
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 35 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 30 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 4.5 V
IC集电极电流......................................................................................................... 50毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
35
30
4.5
-
-
-
-
300
350
300
50
-
典型值。
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马克斯。
-
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50
50
500
800
900
-
-
-
4
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=20V
VEB=3V
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 10毫安， IB = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 0.1毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 0.5毫安， F = 20MHz的
VCB = 5V ， F = 1MHz时， IE = 0
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
HMBT5088
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
