汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅晶体管
HBD241C
█
应用
中功率线性和开关Applicatione 。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 40W
V
CER
--Collector发射极
电压........................... 115V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 100V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压5V
I
C
--Collector
目前DC ）
（
…………………………………
3A
I
C
--Collector
Current（Pulse）………………………………5A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………1A
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
H
FE（1）
H
FE（2）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
100
300
1
200
25
10
1.2
1.8
V
nA
mA
μA
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
=100V, V
BE
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=1A
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
集电极截止电流
发射基截止电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
V
V
I
C
= 3A ，我
B
=0.6A
V
CE
=4V,I
C
=3A,
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