HCP8C60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HCP8C60
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内容描述：	可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用：	可控硅整流器
文件页数/大小：	3 页 / 175 K
品牌：	HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]

汕头华汕电子器件有限公司。

HCP8C60

█

电气特性

（T

=25

℃

除非另有规定编）

符号

DRM

项

重复峰值断态

当前

峰值通态电压（ 1 ）

门极触发电流（ 2 ）

门极触发电压（ 2 ）

非触发栅极电压

保持电流

热阻

兴起关闭状态的爆击率

电压

200

0.2

1.3

分钟。

典型值。

马克斯。

200

1.6

1.5

单位

条件

DRM

=25

℃

=125

℃

=16A,tp=380µs

= 6V （DC ）中，R

= 10欧姆

= 6V （DC ）中，R

= 10欧姆

=25

℃

= 12V ，R

= 100欧姆

=125

℃

RTH （J -C ）

Rth的第（j-一）

dv / dt的

℃/W

V / μs的

T=100mA,

门打开，

=25

℃

结到外壳

结到环境

线性斜率高达V

DRM

67%

门打开

Tj=125

℃

1.正向电流申请1 ms的最长期限，占空比

≤1%.

2. R

当前不包含在测量

█

性能曲线

图1 - 门特点

马克斯。允许外壳温辐射（ ° C）

图2 - 最大CaseTemperture

栅极电压（ V）

门

当前

（MA ）

通态平均电流（mA ）

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