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     P 沟道，1.5 V 指定，PowerTrench® 薄款 WL-CSP MOSFET，-20V，-2.6A，140mΩ
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    GJM0335C2A5R9BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GQM0335C2D6R5DB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GRM2161X1H361JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    PBSS301NX

     12 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction
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    GRT033R61A333KE01#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    -SL10B2A200S704-PA58L98Z

     Low collector emitter saturation voltage;High speed and smooth switching
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    0 VINCOTECH

    GRM0225C1C560JA02#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    NDS351N

     N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.1A，250mΩ
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    RB078RSM10S (新产品)

     RB078RSM10S是一款超低IR的肖特基势垒二极管。该产品非常适用于开关电源、续流二极管和反接保护应用。
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    GJM0335C1E4R7WB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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