GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
spacing
1.3
1.0
5.9
5.5
1.0
0.7
Cathode
Approx. weight 0.5 g
Chip position
GEX06239
Cathode
29
27
9.0
8.2
spacing
2.54mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
0.4
0.6
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
4.8
4.2
ø4.8
ø5.1
0.6
0.4
GEO06645
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Lange Anschlüsse
q
Gruppiert lieferbar
q
Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Semiconductor Group
1
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
long leads
q
Available in groups
q
Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
q
Photointerrupters
1997-11-01
fex06628
1.8
1.2
14.0
13.0
ø5.1
ø4.8
4.8
4.2
11.4
11.0
0.6
0.4
INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
